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STF18N60M2
規(guī)格信息:

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:13 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:255 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

Qg-柵極電荷:21.5 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:25 W

配置:Single

商標(biāo)名:MDmesh

封裝:Tube

系列:STF18N60M2

晶體管類型:1 N-Channel

商標(biāo):STMicroelectronics

下降時(shí)間:10.6 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:9 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:47 ns

典型接通延遲時(shí)間:12 ns

單位重量:330 mg

介紹圖STF18N60M2
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