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STF15N60M2-EP
規(guī)格信息:

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220FP-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:11 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:378 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

Qg-柵極電荷:17 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:MDmesh

系列:STF15N60M2-EP

商標(biāo):STMicroelectronics

下降時間:15 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:10 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:40 ns

典型接通延遲時間:11 ns

單位重量:2.300 g

介紹圖STF15N60M2-EP
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
STF15N60M2-EPExtremely low gate charge STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO-天天IC網(wǎng)502.49 Kbytes共15頁STF15N60M2-EP的PDF文件地址 STF15N60M2-EP的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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