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STF12N60M2
規(guī)格信息：

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:9 A

Rds On-漏源導通電阻:450 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

Qg-柵極電荷:16 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:MDmesh

高度:4.6 mm

長度:16.4 mm

產(chǎn)品:Power MOSFET

系列:STF12N60M2

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MDmesh M2

寬度:10.4 mm

商標:STMicroelectronics

下降時間:18 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:9.2 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:56 ns

典型接通延遲時間:9.2 ns

單位重量:330 mg

介紹圖STF12N60M2
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
STF12N60M2Extremely low gate charge STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO-天天IC網(wǎng)394.65 Kbytes共13頁STF12N60M2的PDF文件地址 STF12N60M2的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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