制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:D2PAK-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:110 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10.5 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:172 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:312 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:4.6 mm
長(zhǎng)度:10.4 mm
系列:STB120NF10
晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET
類型:MOSFET
寬度:9.35 mm
商標(biāo):STMicroelectronics
下降時(shí)間:68 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:90 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:132 ns
典型接通延遲時(shí)間:25 ns
單位重量:4 g