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STB100N10F7
規(guī)格信息：

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:8 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:61 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:150 W

配置:Single

商標(biāo)名:STripFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:STB100N10F7

晶體管類型:1 N-Channel

商標(biāo):STMicroelectronics

下降時間:15 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:40 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:46 ns

典型接通延遲時間:27 ns

單位重量:4 g

STB100N10F7

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STB100N10F7	N-channel 100 V, 0.0068 ?? typ., 80 A, STripFETa?￠ VII DeepGATEa?￠ Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP and TO-220	STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]		1668.2 Kbytes	共23頁				產(chǎn)品購買
STB100N10F7	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]		315.65 Kbytes	共2頁				產(chǎn)品購買