其它有關(guān)文件：STB11N65M5 View All Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：MDmesh? V
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：9A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：480 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：17nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：644pF @ 100V
功率 - 最大值：85W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：D²PAK
其它名稱：497-13144-2