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SMMBFJ177LT1G
規(guī)格信息:

系列:汽車級,AEC-Q101

FET類型:P 溝道

電壓-擊穿(V(BR)GSS):30V

不同Vds(Vgs=0)時的電流-漏極(Idss):1.5mA @ 15V

不同Id時的電壓-截止(VGS關):800mV @ 10nA

不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):11pF @ 10V(VGS)

電阻-RDS(開):300 歐姆

功率-最大值:225mW

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SOT-23(TO-236AB)

RoHS:符合 RoHS

晶體管極性:N-Channel

Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:- 25 V

配置:Single

安裝風格:SMD/SMT

封裝/外殼:SOT-23

系列:MMBFJ177L

品牌:ON Semiconductor

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖SMMBFJ177LT1G
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