FET 類型：P 溝道
電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）：30V
不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）：7mA @ 15V
不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）：3V @ 10nA
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：11pF @ 10V（VGS）
電阻 - RDS（開）：125 Ohms
功率 - 最大值：225mW
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：SOT-23（TO-236AB）
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs