FET 類型：N 溝道
電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）：30V
漏源電壓（Vdss）：30V
不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）：50mA
電壓，耦合至電流 - 泄漏 @ Vds（Vgs=0）：15V
不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）：4V
電流，耦合至電壓 - 截止（VGS off）@ Id：10nA
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：14pF @ 15V（VGS）
電阻 - RDS（開）：30 Ohms
功率 - 最大值：225mW
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs