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SI2399DS
規(guī)格信息：

制造廠商:TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]

描述:P-Channel Vertical DMOS Macro Model Level 3 MOS

介紹圖SI2399DS
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
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Si2399DS-T1連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：5A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：1.5V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：35mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 類型：P溝道VBsemi(臺(tái)灣微碧)VBsemi(臺(tái)灣微碧)的LOGO-天天IC網(wǎng)892.94 Kbytes共9頁(yè)Si2399DS-T1的PDF文件地址 Si2399DS-T1的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
SI2399DS-T1-GE3P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)1035.14 Kbytes共9頁(yè)SI2399DS-T1-GE3的PDF文件地址 SI2399DS-T1-GE3的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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