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SI2316DS
規(guī)格信息：

制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:2.9 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導通電阻:50 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:700 mW

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-23-3

商標:Vishay / Siliconix

配置:Single

最小工作溫度:- 55 C

介紹圖SI2316DS
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
SI2316DSN-Channel 30-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網(wǎng)45.78 Kbytes共4頁SI2316DS的PDF文件地址SI4830DY,SUM110N03,SI7356DP,SUB75N03-07,SI5402BDC,SI7804DN,SUD50N03-09P,SI7894ADP,SI4894BDY,SI6954DQ SI2316DS的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
SI2316DS-T1-E3MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10VVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO-天天IC網(wǎng)211.80 Kbytes共8頁SI2316DS-T1-E3的PDF文件地址 SI2316DS-T1-E3的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
SI2316DS-T1-E3MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO-天天IC網(wǎng)172.69 Kbytes共7頁SI2316DS-T1-E3的PDF文件地址 SI2316DS-T1-E3的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
SI2316DS-T1-GE3MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10VVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO-天天IC網(wǎng)211.80 Kbytes共8頁SI2316DS-T1-GE3的PDF文件地址 SI2316DS-T1-GE3的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
SI2316DS-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO-天天IC網(wǎng)172.69 Kbytes共7頁SI2316DS-T1-GE3的PDF文件地址 SI2316DS-T1-GE3的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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