| 型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關(guān)型號 | 第一頁預(yù)覽 | 產(chǎn)品購買 |
| SI2312BDS | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | VISHAY[Vishay Siliconix] | ![VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網(wǎng)](https://cache.ttic.cc/PdfSupLogo/177VISHAY.GIF) | 113.0 Kbytes | 共5頁 |  | SI6862DQ,SI5486DUV,SI1058X,SIE808DF,SIE810DF,TN0201KL,SI7900AEDN,SI7842DP,SI7452DP,SI9936BDY_07 |
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| SI2312BDS-T1 | 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：5A 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：1V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：28mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 類型：N溝道 | VBsemi(臺灣微碧) |  | 907.40 Kbytes | 共9頁 | | |
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| SI2312BDS-T1-E3 | MOSFET N-Channel 20V 3.9A | Vishay / Siliconix | | 218.87 Kbytes | 共8頁 | | |
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| SI2312BDS-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | Vishay Siliconix | | 179.95 Kbytes | 共7頁 | | |
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| SI2312BDS-T1-E3 | 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：3.9A 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：850mV @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：31mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 類型：N溝道 | VISHAY(威世) | | 217.57 Kbytes | 共8頁 | | |
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| SI2312BDS-T1-E3 | N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | Siliconix / Vishay |  | 179.95 Kbytes | 共7頁 | | |
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| SI2312BDS-T1-E3/BKN | N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | Siliconix / Vishay | | 89.89 Kbytes | 共5頁 | | |
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| SI2312BDS-T1-GE3 | N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | | 1047.95 Kbytes | 共9頁 | | |
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