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SI2308BDS PDF文件_規(guī)格信息

SI2308BDS
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)

漏源電壓（Vdss）60V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）3.1A

柵源極閾值電壓3V @ 250uA

漏源導(dǎo)通電阻85mΩ @ 1.9A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）1.66W(Tc)

類型N溝道

介紹圖

SI2308BDS

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	廠商LOGO	PDF大小	PDF頁數(shù)	PDF文件	相關(guān)型號(hào)	第一頁預(yù)覽	產(chǎn)品購買
SI2308BDS	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]		117.37 Kbytes	共7頁		SI7452DP,SI1022R_08,SUD15N06-90L_07,SUP75N06-08,SI1026X_08,SI4946EY,SI1330EDL,SUP85N06,SI1926DL,SI4946BEY		產(chǎn)品購買
SI2308BDS	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]		257.15 Kbytes	共10頁				產(chǎn)品購買
SI2308BDS	TrenchFET?? Power MOSFET 100 % Rg 100 % UIS	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]		178.96 Kbytes	共2頁				產(chǎn)品購買
SI2308BDS	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	TFUNK[Vishay Telefunken]		252.38 Kbytes	共10頁				產(chǎn)品購買
Si2308BDS	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]		256.78 Kbytes	共10頁				產(chǎn)品購買
SI2308BDS_13	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]		257.15 Kbytes	共10頁				產(chǎn)品購買
SI2308BDS_17	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]		256.78 Kbytes	共10頁				產(chǎn)品購買
SI2308BDS-T1-E3	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]		117.37 Kbytes	共7頁		SI7452DP,SI1022R_08,SUD15N06-90L_07,SUP75N06-08,SI1026X_08,SI4946EY,SI1330EDL,SUP85N06,SI1926DL,SI4946BEY		產(chǎn)品購買
SI2308BDS-T1-GE3	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]		252.38 Kbytes	共10頁				產(chǎn)品購買
SI2308BDS-T1-GE3	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		1031.67 Kbytes	共9頁				產(chǎn)品購買
Si2308BDS-T1-GE3	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：2.3A 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：156mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 類型：N溝道	VISHAY(威世)		246.87 Kbytes	共10頁				產(chǎn)品購買

SI2308BDS相關(guān)型號(hào)PDF文件資料

SI2308BDS相關(guān)型號(hào)規(guī)格信息

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詢價(jià)型號(hào)*	數(shù)量*	批號(hào)	封裝	品牌	其它要求

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