商品類型MOS(場效應(yīng)管)
漏源電壓(Vdss)20V
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時)6A(Tc)
柵源極閾值電壓1V @ 250uA
漏源導(dǎo)通電阻28mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.1W(Tc)
類型N溝道
SI2312DS
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| SI2312DS | N-Channel 20 -V (D-S) MOSFET | VISHAY[Vishay Siliconix] | 89.7 Kbytes | 共5頁 | SUP40N10-35,SI9410DY,SUP75N06-08,SI7842DP,SI1970DH,SIE812DF,SI4946EY,SI6862DQ,SI5486DUV,SUM110N04-05H | 產(chǎn)品購買 | |||
| SI2312DS | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | VISHAY[Vishay Siliconix] | 58.76 Kbytes | 共4頁 | SI7458DP,SI6956DQ,SI4864DY,SUM110N02-03P,SI7136DP,SI2314EDS,SI4408DY,SI3900DV,SI1912EDH,SI4426DY | 產(chǎn)品購買 | |||
| SI2312DS | N-Channel Enhancement MOSFET | KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd] | 1694.12 Kbytes | 共4頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| SI2312DS_05 | N-Channel 20 -V (D-S) MOSFET | VISHAY[Vishay Siliconix] | 89.7 Kbytes | 共5頁 | SUP40N10-35,SI9410DY,SUP75N06-08,SI7842DP,SI1970DH,SIE812DF,SI4946EY,SI6862DQ,SI5486DUV,SUM110N04-05H | 產(chǎn)品購買 | |||
| SI2312DS-HF | N-Channel MOSFET | KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd] | 1689.59 Kbytes | 共4頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| SI2312DS-HF-3 | N-Channel MOSFET | KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd] | 1734.77 Kbytes | 共4頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| SI2312DS-T1 | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | VISHAY[Vishay Siliconix] | 58.76 Kbytes | 共4頁 | SI7458DP,SI6956DQ,SI4864DY,SUM110N02-03P,SI7136DP,SI2314EDS,SI4408DY,SI3900DV,SI1912EDH,SI4426DY | 產(chǎn)品購買 | |||
| SI2312DS-T1-GE3 | N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | 1047.88 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 |
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