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RFP4N100
規(guī)格信息:

FET 類型N 溝道

技術MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss)1000V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)4.3A(Tc)

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)120nC @ 20V

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)3.5 歐姆 @ 2.5A,10V

安裝類型通孔

供應商器件封裝TO-220AB

封裝/外殼TO-220-3

無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs

介紹圖RFP4N100
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
RFP4N1004.3A, 1000V, 3.500 Ohm, High Voltage, N-Channel Power MOSFETs INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)45.99 Kbytes共6頁RFP4N100的PDF文件地址IRFPG40,APT5010JLL,SML1001RHN,SML10J144,SML20J97,SML40H22,SML50J44,SML60J35,SML80J44,APT12040L2LL RFP4N100的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
RFP4N1004.3A, 1000V, 3.500 Ohm, High Voltage, N-Channel Power MOSFETs NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]的LOGO-天天IC網(wǎng)101.12 Kbytes共2頁RFP4N100的PDF文件地址 RFP4N100的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
RFP4N100相關型號規(guī)格信息
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詢價型號*數(shù)量*批號封裝品牌其它要求
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