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FET 類型N 溝道
技術MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)1000V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)4.3A(Tc)
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)120nC @ 20V
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)3.5 歐姆 @ 2.5A,10V
安裝類型通孔
供應商器件封裝TO-220AB
封裝/外殼TO-220-3
無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs
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