制造商:Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:否
Id-連續(xù)漏極電流:30 A
Vds-漏源極擊穿電壓:- 60 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:65 mOhms
晶體管極性:P-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:135 W
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
商標(biāo):Fairchild Semiconductor
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:18 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:23 ns
系列:RFP30P06
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:28 ns
典型接通延遲時(shí)間:15 ns
RFP30P06
| 型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關(guān)型號 | 第一頁預(yù)覽 | 產(chǎn)品購買 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RFP30P06 | 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs | INTERSIL[Intersil Corporation] | 71.16 Kbytes | 共8頁 | RFG30P05,RFD15N06LE,FRE9160D,RFD15P06,RFP30N06LE,RFP30N06LE,RFD8P06E,RFD8P06LE,RFP4N05L,FSL9130D | 產(chǎn)品購買 | |||
| RFP30P06 | P-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | 939.22 Kbytes | 共7頁 | 產(chǎn)品購買 |
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