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FET 類型P 溝道

技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）50V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）30A（Tc）

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）170nC @ 20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）3200pF @ 25V

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）65 毫歐 @ 30A，10V

安裝類型通孔

供應(yīng)商器件封裝TO-220AB

封裝/外殼TO-220-3

無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs