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PSMN1R6-30PL127
規(guī)格信息：

制造商:NXP

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

商標(biāo):NXP Semiconductors

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.7 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Pd-功率耗散:306 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

封裝:Tube

下降時(shí)間:87 ns

上升時(shí)間:163 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:174 ns

典型接通延遲時(shí)間:104 ns

介紹圖PSMN1R6-30PL127
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
PSMN1R6-30PL127N-channel 30 V 1.7 m?? logic level MOSFET NXP[NXP Semiconductors]NXP[NXP Semiconductors]的LOGO-天天IC網(wǎng)233.38 Kbytes共13頁PSMN1R6-30PL127的PDF文件地址 PSMN1R6-30PL127的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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