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PSMN1R5-30YLC
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應(yīng)管)

漏源電壓（Vdss）30V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）100A

柵源極閾值電壓1.95V @ 1mA

漏源導(dǎo)通電阻1.55mΩ @ 25A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）179W

類型N溝道

介紹圖PSMN1R5-30YLC
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
PSMN1R5-30YLCNextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8) PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO-天天IC網(wǎng)1803.2 Kbytes共8頁PSMN1R5-30YLC的PDF文件地址 PSMN1R5-30YLC的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
PSMN1R5-30YLC,115MOSFET N-Ch 30V 1.55mOhmsNexperiaNexperia的LOGO-天天IC網(wǎng)918.53 Kbytes共15頁PSMN1R5-30YLC,115的PDF文件地址 PSMN1R5-30YLC,115的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
PSMN1R5-30YLC,115MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO-天天IC網(wǎng)323.72 Kbytes共14頁PSMN1R5-30YLC,115的PDF文件地址 PSMN1R5-30YLC,115的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
PSMN1R5-30YLC,115連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：100A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：1.95V @ 1mA 漏源導(dǎo)通電阻：1.55mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：179W(Tc) 類型：N溝道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO-天天IC網(wǎng)930.98 Kbytes共15頁PSMN1R5-30YLC,115的PDF文件地址 PSMN1R5-30YLC,115的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
PSMN1R5-30YLC_15N-channel 30 V 1.55m?? logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO-天天IC網(wǎng)355.98 Kbytes共15頁PSMN1R5-30YLC_15的PDF文件地址 PSMN1R5-30YLC_15的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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