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制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SO-8FL

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:40 V

Id-連續(xù)漏極電流:140 A

Rds On-漏源導通電阻:3.2 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:136 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:200 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

封裝:Cut Tape

封裝:Reel

晶體管類型:1 P-Channel Power MOSFET

商標:ON Semiconductor

下降時間:740 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:860 ns

工廠包裝數(shù)量:5000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:540 ns

典型接通延遲時間:50 ns