FET類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：21A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：51nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：2700pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），127W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：4.2 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
封裝形式Package：SO-FL
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：40V
連續(xù)漏極電流ID：21A
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：2700pF @ 25V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.2 毫歐 @ 20A，10V
FET 類型：N 溝道
漏源極電壓（Vdss）：40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：21A（Ta）
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：51nC @ 10V
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs