不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：850pF @ 25V
功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），39W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：24 毫歐 @ 10A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）：60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：8A（Ta）
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：17nC @ 10V
漏源電壓（Vdss）：60V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
Vgs（最大值）：±20V
供應商器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs