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制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:否

商標(biāo):ON Semiconductor

Id-連續(xù)漏極電流:52 A

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:30 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:178 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

封裝:Tube

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:100 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:31 S

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:95 ns

工廠包裝數(shù)量:50

典型關(guān)閉延遲時間:74 ns

典型接通延遲時間:15 ns