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NTB25P06T4
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

商標(biāo):ON Semiconductor

Id-連續(xù)漏極電流:27.5 A

Vds-漏源極擊穿電壓:- 60 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:65 mOhms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :15 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:120 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:190 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:13 S

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:72 ns

工廠包裝數(shù)量:800

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:43 ns

典型接通延遲時(shí)間:14 ns

介紹圖NTB25P06T4
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
NTB25P06T4Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)56.24 Kbytes共6頁(yè)NTB25P06T4的PDF文件地址SFF60P05M,STB70NF3LL_06,MMBF2202PT1_06,NTHS4111P_06,AAT8303_05,SFF9140-3,NTR0202PL,NTB5605P_05,STB70NFS03L_06,STB24NF10_06 NTB25P06T4的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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NTB25P06T4GP-Channel 60 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)1584.62 Kbytes共7頁(yè)NTB25P06T4G的PDF文件地址 NTB25P06T4G的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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