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NTB082N65S3F
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:40 A

Rds On-漏源導通電阻:82 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:81 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:313 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:Reel

系列:SuperFET3

晶體管類型:1 N-Channel SuperFET III MOSFET

商標:ON Semiconductor

下降時間:5 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:27 ns

工廠包裝數(shù)量:800

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:79 ns

典型接通延遲時間:27 ns

介紹圖NTB082N65S3F
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
NTB082N65S3Fisc N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)347.6 Kbytes共2頁NTB082N65S3F的PDF文件地址 NTB082N65S3F的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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