FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：154mA（Tj）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 100μA
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：20pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：5V
功率耗散（最大值）：300mW（Tj）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：7 歐姆 @ 154mA，4.5V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：SC-75，SOT-416
封裝/外殼：SC-75，SOT-416
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs