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NTB30N06
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:27 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:42 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

封裝:Rail

商標(biāo):ON Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:31 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:16 S

最小工作溫度:- 55 C

Pd-功率耗散:88.2 W

上升時間:36 ns

典型關(guān)閉延遲時間:24 ns

典型接通延遲時間:11 ns

介紹圖NTB30N06
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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