電流-集電極（Ic）（最大值）：100mA
不同?Ib，Ic時的?Vce飽和值（最大值）：600mV @ 5mA，100mA
電流-集電極截止（最大值）：15nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?時的DC電流增益（hFE）（最小值）：200 @ 2mA，5V
功率-最大值：290mW
頻率-躍遷：100MHz
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-1123
封裝形式Package：SOT-1123-3
極性Polarity：NPN
集電極最大允許電流Ic：0.1A
集電極_發(fā)射極擊穿電壓VCEO：30V
電流放大倍數(shù)最小值hFE_Min：200
電流放大倍數(shù)最大值hFE_Max：450
最高工作溫度：+ 150 C
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
200 at 2 mA at 5 V：直流電最大增益hFE
系列：NST848BF3T5G
品牌：ON Semiconductor
最大功率消耗：347 mW
最低工作溫度：- 55 C
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量：8000
RoHS：符合 RoHS
配置：Single
晶體管極性：NPN
集電極-基極電壓VCBO：30 V
發(fā)射機-基極電壓VEBO：5 V
集電極最大直流電流：0.1 A
100 MHz：增益帶寬積 fT
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs