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NST3906DXV6T1
規(guī)格信息：

標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：晶體管（BJT） - 陣列

系列：-

包裝：帶卷（TR）

晶體管類型：2 PNP（雙）

電流 - 集電極（Ic）（最大值）：200mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：40V

不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）：400mV @ 5mA，50mA

電流 - 集電極截止（最大值）：-

不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，1V

功率 - 最大值：500mW

頻率 - 躍遷：250MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商器件封裝：SOT-563

其它名稱：NST3906DXV6T1OS

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
NST3906DXV6T1	Dual General Purpose Transistor	ONSEMI[ON Semiconductor]	106.36 Kbytes	共8頁	UMZ1N,2N3209DCSM,NST3904DXV6T1,NST3946DXV6T1,LMBT3904DW1T1,MBT3946DW,MBT2907ADW,MBT3904DW,IMT17,MBT3906DW	產(chǎn)品購買
NST3906DXV6T1G	雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 200mA 40V Dual Switching PNP	ON Semiconductor	97.32 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
NST3906DXV6T1G	TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563	ON Semiconductor	181.33 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
NST3906DXV6T1G	集電極電流Ic：200mA 額定功率：500mW 晶體管類型：2 PNP(雙) 集射極擊穿電壓Vce：40V	ON(安森美)	96.25 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買