������:ON Semiconductor
�a(ch��n)Ʒ�N�:�p�O���w�� - �p�O�Y(ji��)�;��w��(BJT)
RoHS:��
���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
���b / ���w:TSOP-6
���w�ܘO��:NPN
����:Single
��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:30 V
��늘O�����O늉� VCBO:50 V
�l(f��)��O - ���O늉� VEBO:5 V
��늘O����O�늉�:0.1 V
���ֱ��늼�늘O���:2 A
���控���a(ch��n)ƷfT:300 MHz
��С�����ض�:- 55 C
������ض�:+ 150 C
ϵ��:NST489
�߶�:0.94 mm
�L(zh��ng)��:3 mm
���b:Cut Tape
���b:MouseReel
���b:Reel
����:1.5 mm
�̘�(bi��o):ON Semiconductor
��늘O�B�m(x��)���:2 A
ֱ����늘O/Base Gain hfe Min:300
Pd-���ʺ�ɢ:535 mW
�a(ch��n)Ʒ���:BJTs - Bipolar Transistors
���S���b��(sh��)��:3000
��e:Transistors
�����:20 mg