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NJW0302G
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)

RoHS:是

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-3P-3

晶體管極性:PNP

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:250 V

集電極—基極電壓 VCBO:250 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V

集電極—射極飽和電壓:1 V

最大直流電集電極電流:15 A

增益帶寬產(chǎn)品fT:30 MHz

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 150 C

系列:NJW0302

直流電流增益 hFE 最大值:75

高度:18.7 mm

長度:15.6 mm

封裝:Tube

寬度:4.8 mm

商標(biāo):ON Semiconductor

直流集電極/Base Gain hfe Min:75

Pd-功率耗散:150000 mW

產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors

工廠包裝數(shù)量:30

子類別:Transistors

單位重量:6.756 g

NJW0302G

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
NJW0302G	Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors	ONSEMI[ON Semiconductor]	108.28 Kbytes	共5頁	產(chǎn)品購買
NJW0302G	Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors	ONSEMI[ON Semiconductor]	80.35 Kbytes	共5頁	產(chǎn)品購買
NJW0302G	Silicon PNP transistor in a TO-3P Plastic Package.	FOSHAN[Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.]	1042.5 Kbytes	共6頁	產(chǎn)品購買
NJW0302G	150 Watt Silicon Epitaxial Planar PNP Power Transistor	THINKISEMI[Thinki Semiconductor Co., Ltd.]	1440.54 Kbytes	共4頁	產(chǎn)品購買
NJW0302G	isc Silicon PNP Power Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	250.52 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
NJW0302G	isc Silicon PNP Power Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	290.28 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
NJW0302GD	isc Silicon PNP Power Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	283.96 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
NJW0302GT4TL		SPS(美國源芯)	1.86 Mbytes	共2頁	產(chǎn)品購買