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NJVMJD50T4G
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)

RoHS:

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

晶體管極性:NPN

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:400 V

集電極—基極電壓 VCBO:500 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V

集電極—射極飽和電壓:1 V

最大直流電集電極電流:2 A

增益帶寬產品fT:10 MHz

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 150 C

系列:MJD50

直流電流增益 hFE 最大值:150 at 300 mA, 10 V

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

商標:ON Semiconductor

直流集電極/Base Gain hfe Min:25 at 200 mA, 10 V

Pd-功率耗散:15 W

產品類型:BJTs - Bipolar Transistors

資格:AEC-Q101

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:Transistors

介紹圖NJVMJD50T4G
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
NJVMJD50T4GHigh Voltage Power Transistors ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網81.43 Kbytes共6頁NJVMJD50T4G的PDF文件地址 NJVMJD50T4G的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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