晶體管類型:NPN - 達林頓
電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V
不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2.5V @ 8mA,2A
電流 - 集電極截止(最大值):10μA
不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):500 @ 2A,4V
功率 - 最大值:1.75W
工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝:DPAK
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
NJVMJD6039T4G
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| NJVMJD6039T4G | Darlington Power Transistors | ONSEMI[ON Semiconductor] | 188.13 Kbytes | 共5頁 | 產(chǎn)品購買 |
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