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制造商:NEC
產(chǎn)品種類:射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管
晶體管類型:HFET
技術(shù):GaAs
增益:10.5 dB
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:4 V
Vgs-柵源極擊穿電壓 :- 3 V
Id-連續(xù)漏極電流:80 mA
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:240 mW
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:CHIP
商標(biāo):NEC/CEL
正向跨導(dǎo) - 最小值:70 mS
NF—噪聲系數(shù):0.75 dB
工作頻率:12 GHz
P1dB - 壓縮點:12 dBm
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