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制造商:NEC

產(chǎn)品種類:射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管

晶體管類型:HFET

技術(shù):GaAs

增益:10.5 dB

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:4 V

Vgs-柵源極擊穿電壓 :- 3 V

Id-連續(xù)漏極電流:80 mA

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:240 mW

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:CHIP

商標(biāo):NEC/CEL

正向跨導(dǎo) - 最小值:70 mS

NF—噪聲系數(shù):0.75 dB

工作頻率:12 GHz

P1dB - 壓縮點(diǎn):12 dBm