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NE325S01
規(guī)格信息：

產(chǎn)品種類射頻GaAs晶體管

技術(shù)類型HEMT

頻率12 GHz

增益12.5 dB

噪聲系數(shù)0.45 dB

正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）60 mS

漏源電壓 VDS4 V

閘/源擊穿電壓- 3 V

漏極連續(xù)電流90 mA

最大工作溫度+ 125 C

功率耗散165 mW

安裝風(fēng)格SMD/SMT

封裝 / 箱體SO-1

封裝Bulk

介紹圖NE325S01
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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NE325S01-T1BC to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CEL[California Eastern Labs]CEL[California Eastern Labs]的LOGO-天天IC網(wǎng)52.74 Kbytes共5頁NE325S01-T1B的PDF文件地址 NE325S01-T1B的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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