商品類型MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)
漏源電壓(Vdss)40V
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí))200A(Tc)
柵源極閾值電壓4V @ 250uA
漏源導(dǎo)通電阻2.6mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)285W(Tc)
類型N溝道
NCE40H20A
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| NCE40H20A | NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | NCEPOWER[Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd] | 343.32 Kbytes | 共7頁 | 產(chǎn)品購(gòu)買 | ||||
| NCE40H20AD | 連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí)):200A(Tc) 漏源電壓(Vdss):40V 柵源極閾值電壓:4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻:2.6mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):285W(Tc) 類型:N溝道 | 無錫新潔能 | ![]() | 308.9 Kbytes | 共7頁 | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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