商品類型MOS(場效應(yīng)管)
漏源電壓(Vdss)-30V
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí))30A
柵源極閾值電壓2.5V @ 250uA
漏源導(dǎo)通電阻18mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)60W
類型P溝道
NCE30P30K
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| NCE30P30K | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | 1023.65 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 |
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