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NCE30P50G
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應管)

漏源電壓（Vdss）-30V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）50A(Tc)

柵源極閾值電壓2.2V @ 250uA

漏源導通電阻7mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）35W(Tc)

類型P溝道

介紹圖NCE30P50G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
NCE30P50GNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET NCEPOWER[Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd]NCEPOWER[Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)366.21 Kbytes共7頁NCE30P50G的PDF文件地址 NCE30P50G的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
NCE30P50GP-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)1089.89 Kbytes共8頁NCE30P50G的PDF文件地址 NCE30P50G的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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