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MMUN2131LT1G
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 預(yù)偏置

RoHS:是

配置:Single

晶體管極性:PNP

典型輸入電阻器:2.2 kOhms

典型電阻器比率:1

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-23-3

直流集電極/Base Gain hfe Min:8

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V

集電極連續(xù)電流:0.1 A

峰值直流集電極電流:100 mA

Pd-功率耗散:246 mW

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

系列:MMUN2131L

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

直流電流增益 hFE 最大值:8

高度:0.94 mm

長(zhǎng)度:2.9 mm

寬度:1.3 mm

商標(biāo):ON Semiconductor

產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:Transistors

單位重量:8 mg

MMUN2131LT1G

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MMUN2131LT1G	Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k	ONSEMI[ON Semiconductor]	133.25 Kbytes	共10頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
MMUN2131LT1G	PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network	ONSEMI[ON Semiconductor]	103.89 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
MMUN2131LT1G	Digital Transistors (BRT)	ONSEMI[ON Semiconductor]	176.35 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買