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MMUN2113LT1
規(guī)格信息:

標(biāo)準(zhǔn)包裝:10

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

系列:-

包裝:剪切帶(CT)

晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓

電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基底(R1)(歐姆):47k

電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k

不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V

不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA

頻率 - 躍遷:-

功率 - 最大值:246mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)

其它名稱:MMUN2113LT1OSCT

介紹圖MMUN2113LT1
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
MMUN2113LT1PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR MOTOROLA[Motorola, Inc]MOTOROLA[Motorola, Inc]的LOGO-天天IC網(wǎng)267.26 Kbytes共10頁MMUN2113LT1的PDF文件地址DTA114EE,MUN5111T1,DTA114YE,MMUN2111,RN2907FE,RN4901FE,MUN2111T1,MUN2111,DTA114E,MUN5111 MMUN2113LT1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
MMUN2113LT1PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)188.18 Kbytes共12頁MMUN2113LT1的PDF文件地址DTA114EE,MUN5111T1,DTA114YE,MMUN2111,RN2907FE,RN4901FE,MMUN2111LT1,MUN2111,MUN2111T1,MUN5111 MMUN2113LT1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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MMUN2113LT1GDigital Transistors (BRT) R1 = 47 k, R2 = 47 kA ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)113.75 Kbytes共12頁MMUN2113LT1G的PDF文件地址 MMUN2113LT1G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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