晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓
電阻器-基底（R1）（歐姆）：4.7k
不同?Ic，Vce?時(shí)的DC電流增益（hFE）（最小值）：160 @ 5mA，10V
不同?Ib，Ic時(shí)的?Vce飽和值（最大值）：250mV @ 1mA，10mA
電流-集電極截止（最大值）：500nA
Power-Max：246mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-23-3（TO-236）
封裝形式Package：SOT-23
極性Polarity：PNP
集電極最大允許電流Ic：100mA
集電極_發(fā)射極擊穿電壓VCEO：50V
不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）：250mV @ 1mA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值）：500nA
功率 - 最大值：246mW
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
電流 - 集電極（Ic）（最大值）：100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電阻器 - 基底（R1）（歐姆）：4.7k
不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：160 @ 5mA，10V
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs