封裝/外殼:TO262
FET 類型:N 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):110A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.1 毫歐 @ 65A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):130nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):4555pF @ 25V
功率耗散(最大值):160W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-262
通道類型:N
最大連續(xù)漏極電流:110 A
最大漏源電壓:60 V
最大漏源電阻值:0.0054 0hms
最大柵源電壓:-20 V、+20 V
封裝類型:I2PAK (TO-262)
引腳數(shù)目:3
晶體管配置:單
通道模式:增強(qiáng)
類別:功率 MOSFET
最大功率耗散:160 W
最低工作溫度:-55 °C
正向跨導(dǎo):110S
正向二極管電壓:1.2V
尺寸:10.67 x 4.83 x 9.65mm
系列:HEXFET
每片芯片元件數(shù)目:1
晶體管材料:Si
典型柵極電荷@Vgs:130 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds:4555 pF @ 25 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間:58 ns
典型接通延遲時(shí)間:12 ns
寬度:4.83mm
長度:10.67mm
高度:9.65mm
最高工作溫度:+175 °C
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs