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制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-262-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:40 V

Id-連續(xù)漏極電流:426 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:970 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:460 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:375 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:StrongIRFET

封裝:Tube

高度:9.45 mm

長度:10.2 mm

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.5 mm

商標(biāo):Infineon / IR

正向跨導(dǎo) - 最小值:150 S

下降時間:100 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:105 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:160 ns

典型接通延遲時間:32 ns

零件號別名:SP001557608

單位重量:2.084 g