FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：18A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4.9V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：29nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1200pF @ 50V
功率耗散（最大值）：100W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：105 毫歐 @ 11A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-262
封裝/外殼：TO262
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：18 A
最大漏源電壓：200 V
最大漏源電阻值：105 m0hms
最大柵閾值電壓：4.9V
最小柵閾值電壓：3V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：I2PAK (TO-262)
晶體管配置：單
引腳數(shù)目：3
通道模式：增強
最大功率耗散：100 W
尺寸：10.67 x 15.01 x 4.83mm
系列：HEXFET
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：18 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：1200 pF @ 50 V
典型關(guān)斷延遲時間：16 ns
典型接通延遲時間：7.8 ns
寬度：15.01mm
每片芯片元件數(shù)目：1
最低工作溫度：-55 °C
長度：10.67mm
最高工作溫度：+175 °C
高度：4.83mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs