設(shè)計(jì)資源：IRFB31N20DPBF Saber Model IRFB31N20DPBF Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：31A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：82 毫歐 @ 18A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：5.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：110nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：2370pF @ 25V
功率 - 最大值：3.1W
安裝類(lèi)型：通孔
封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線(xiàn)，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：TO-262
其它名稱(chēng)：*IRFSL31N20D