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制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-262-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:195 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3.7 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:411 nC

Pd-功率耗散:375 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:StrongIRFET

封裝:Tube

高度:9.45 mm

長(zhǎng)度:10.2 mm

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.5 mm

商標(biāo):Infineon / IR

正向跨導(dǎo) - 最小值:242 S

下降時(shí)間:104 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:141 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:172 ns

典型接通延遲時(shí)間:52 ns

零件號(hào)別名:SP001565198

單位重量:2.084 g