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IRFS11N50A
規(guī)格信息:

FET 類型:N 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):500V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):52nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1423pF @ 25V

功率耗散(最大值):170W(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):520 毫歐 @ 6.6A,10V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝:D2PAK

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖IRFS11N50A
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