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IRFR9N20D PDF文件_規(guī)格信息

IRFR9N20D
規(guī)格信息：

封裝/外殼：DPAK

Packing Type：TUBE

Moisture Level：1

RDS (on) max：380.0m?

VDS max：200.0V

ID max：6.7A

Package：DPAK (TO-252)

Tj max：175.0°C

QG：18.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.3

Ptot max：86.0W

Polarity：N

Qgd：9.0nC

VGS max：30.0V

Mounting：SMD

RthJC max：1.75K/W

ID (@ TC=25°C) max：9.4A

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IRFR9N20D

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IRFR9N20D	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.38ohm, Id=9.4A)	IRF[International Rectifier]	126.79 Kbytes	共10頁	SHD225701,SHD244702,SBF50P10-023L,SHD224701,NTTS2P03R2,MMSF10N03Z,MRF151,MTSF3N03HD,NTP75N03L09,NTMS4404	產(chǎn)品購買
IRFR9N20D	SMPS MOSFET	KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]	3730.2 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
IRFR9N20D	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	336.4 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
IRFR9N20DPBF	HEXFET Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	222.52 Kbytes	共10頁	IRFZ34VPBF,IRF7210PBF,IRFR210PBF,IRFR3707ZCPBF,IRF5210SPBF,IRF7460PBF,IRFBC40APBF,IRFP340PBF,IRLZ4S,IRFC240	產(chǎn)品購買
IRFR9N20DPBF	SMPS MOSFET	KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]	3843.1 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
IRFR9N20DPBF	High frequency DC-DC converters	IRF[International Rectifier]	231.67 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRFR9N20DPBF_15	High frequency DC-DC converters	IRF[International Rectifier]	231.67 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRFR9N20DTR	MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK	Infineon Technologies	232.42 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRFR9N20DTRL	MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK	Infineon Technologies	232.42 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRFR9N20DTRLPBF	MOSFET MOSFT 200V 9.4A 380mOhm 18nC	Infineon / IR	227.49 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRFR9N20DTRLPBF	MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK	Infineon Technologies	232.42 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRFR9N20DTRLPBF		Infineon(英飛凌)	226.84 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRFR9N20DTRPBF	MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 380mOhms 18nC	Infineon / IR	227.49 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRFR9N20DTRPBF	MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK	Infineon Technologies	232.42 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRFR9N20DTRPBF	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：9.4A 漏源電壓（Vdss）：200V 柵源極閾值電壓：5.5V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：380mΩ @ 5.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：86W 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	226.84 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRFR9N20DTRPBF	IRFR9N20DTRPBF N-channel MOSFET Transistor; 9.4 A; 200 V; 3+Tab-Pin DPAK	Infineon	232.42 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRFR9N20DTRR	MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK	Infineon Technologies	232.42 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買