制造商:Vishay
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:400 V
Id-連續(xù)漏極電流:1.8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:7 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:13 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:50 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
系列:IRFR/U
晶體管類型:1 P-Channel
商標(biāo):Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值:0.91 S
下降時(shí)間:24 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:10 ns
工廠包裝數(shù)量:2000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:25 ns
典型接通延遲時(shí)間:11 ns
單位重量:1.438 g